人工知能（AI）関連の需要急増を中心に、メモリー半導体のDRAMとNAND型フラッシュメモリーの月平均価格が再び過去最高値を更新した。

サーバー用製品への生産能力集中がレガシー（旧型）メモリー供給不足につながり、3四半期にもPC用DRAMを中心に追加的な価格上昇が継続するとの見方が出ている。

3日の市場調査会社DRAMeXchangeによると、7月のPC用DRAM汎用製品（DDR4 8Gb 1Gx8）の平均固定取引価格は前月（21ドル）比14.3％急騰した24ドルを記録した。これは調査開始当時の2016年6月（2.9ドル）と比較すると8倍以上の水準だ。

DDR4平均価格は2025年4月以降の上昇トレンドの末に過去最高値を再び更新した。

▲ サーバー用DRAMへの生産転換…PC用メモリー3四半期に最大20％上昇見通し

このようなDRAM価格の急上昇は、クラウドサービスプロバイダー（CSP）のサーバー用メモリー需要の急増に伴う生産ライン転換が主な原因と分析された。

主要DRAM製造業者が高付加価値サーバー用およびAI用製品の供給を増やすためにPC用DRAM供給を削減しており、市場内の供給不足現象が深刻化している。

台湾の市場調査会社TrendForceは「DRAM企業が来年のPC用DRAM供給縮小を計画しており、タイトな需給状況が続いている」とし「これに伴う供給不足の影響で今3四半期のPC用DRAM固定取引価格は前四半期比15～20％程度の追加上昇が見込まれる」と予想した。

[AFP/聯合ニュース提供]

▲ NAND型フラッシュ19ヶ月連続上昇…SLC供給不足で価格50％急騰

NAND型フラッシュメモリー市場もAIエッジコンピューティング、次世代スマートカー、産業オートメーション分野を中心に在庫確保需要が重なり上昇トレンドを継続した。

メモリーカード・USB用NAND汎用製品（128Gb 16Gx8 MLC）の7月の平均固定取引価格は前月比4.3％上昇した30.1ドルを記録し、19ヶ月連続上昇トレンドを維持した。

特にNAND市場では微細加工および製品ラインによる価格差別化の傾向が明らかに見られた。

メモリー供給企業が高積層3D NANDと最先端プロセスに生産能力を集中させることで、レガシー製品であるシングルレベルセル（SLC）の供給不足が極めて深刻になった。これに伴いSLC平均販売価格（ASP）は前月比35～51％急騰する異常現象を示した。

▲ MLC上昇率は鈍化へ転換…レガシーと最先端製品間の二極化が深刻

一方、マルチレベルセル（MLC）NANDの場合、過去1年間の価格急騰の累積により購買客の費用負担が蓄積され、上昇率は4～8％の水準にとどまった。市場の購買力が限界に達しながら製品ラインごとの上昇動力が分かれる様相を見せている。

TrendForceは「3四半期にもSLCは深刻な供給不足の影響で高値をつけ続けるが、MLCの価格上昇トレンドは徐々に鈍化するだろう」とし「AI発の半導体スーパーサイクルの中で最先端プロセスとレガシープロセス間の需給不均衡に伴う価格二極化が当面継続するだろう」と分析した。