以人工智能(AI)相关需求激增为中心，作为内存半导体的D-RAM和NAND闪存的月均价格再次创下历史新高。

随着向服务器用产品的生产能力集中导致遗留(旧型)内存供应短缺，预计第三季度以PC用D-RAM为中心将继续出现额外涨价趋势。

据市场调查公司D-RAM Exchange 3日数据，7月PC用D-RAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8)的平均固定交易价格相比前月(21美元)猛涨14.3%，达到24美元。与调查开始时2016年6月(2.9美元)相比，涨幅超过8倍。

DDR4平均价在自2025年4月以来持续上升之后，再次刷新了历史最高纪录。

▲ 转向服务器用D-RAM… PC用内存第三季度最高预期上涨20%

这样的D-RAM价格暴涨主要是由于云服务提供商(CSP)对服务器用内存需求剧增导致的生产线转换。

主要D-RAM制造商们为了增加高附加值服务器用和AI用产品的供应，正在减少PC用D-RAM的供应，市场内供应短缺现象日益加剧。

台湾市场调查公司TrendForce表示，"随着D-RAM厂商计划明年缩减PC用D-RAM供应，供需局势仍将保持紧张"，"由此导致的供应短缺影响，第三季度PC用D-RAM固定交易价格相比上季度将额外上涨15~20%左右"。

[AFP/连合新闻 提供]

▲ NAND闪存19个月连续上涨… SLC供应短缺导致价格暴涨50%

NAND闪存市场同样也在以AI边缘计算、下一代智能汽车、工业自动化领域为中心的库存确保需求相互作用下，继续保持上升趋势。

存储卡、USB用NAND通用产品(128Gb 16Gx8 MLC)的7月平均固定交易价格环比上升4.3%，达到30.1美元，维持19个月连续上涨势头。

特别是在NAND市场，出现了按微工艺及产品线划分的价格差异化现象。

内存供应商们将生产能力集中在高堆叠3D NAND和先进工艺上，导致遗留产品单层单元(SLC)供应严重短缺。因此SLC平均售价(ASP)相比前月暴涨35~51%，出现了异常现象。

▲ MLC涨势放缓转变… 遗留产品和先进产品间分化加剧

相反，多层单元(MLC) NAND由于过去一年积累的价格暴涨导致购买客户成本负担加重，涨幅仅保持在4~8%水平。随着市场购买力接近极限，产品线的上升动力出现分化。

TrendForce表示，"第三季度SLC虽会因严重供应短缺影响继续高位运行，但MLC的价格涨势将逐步放缓"，"在AI驱动的半导体超级周期中，先进工艺和遗留工艺间的供需失衡导致的价格分化将持续一段时间"。