SK하이닉스가 미국 기술 심포지엄에 참가하여 TSMC와의 고대역폭 메모리(HBM) 파트너십을 재확인하고 인공지능(AI) 메모리 리더십을 강조했다. 회사는 HBM4에 TSMC의 첨단 베이스다이 공정을 적용하며 차세대 AI 메모리 시장 주도 의지를 표명했다. AI 기술 발전을 가로막는 메모리 병목 현상 해소를 위한 기술 융합 전략을 제시했다.

SK하이닉스가 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 22일(현지시간) 파운드리 업계 1위 TSMC가 주최한 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026'에 참가하여 인공지능(AI) 메모리 분야의 리더십을 강조했다. 이번 심포지엄은 TSMC가 매년 전 세계 7개 주요 거점 지역에서 반도체 설계 및 제조 파트너들을 초청해 최신 기술 및 협력 성과를 공유하는 중요한 행사로, SK하이닉스는 이 자리에서 TSMC와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인하는 계기를 마련했다. 회사는 전시 부스를 통해 HBM3E(5세대)와 HBM4(6세대) 등 고대역폭 메모리(HBM) 제품 라인업과 서버용 D램 제품을 선보이며 관람객들의 이목을 집중시켰다. 특히 HBM4 전시 공간에는 'TSMC의 첨단 공정 기술이 적용된 베이스다이 채택'이라는 문구를 명시하며 양사 간의 긴밀한 기술 협력 관계를 전면에 부각했다.

▲ SK하이닉스

는 HBM4 생산에 5세대 10나노급 D램(1b) 공정을 활용하며, TSMC의 12나노 베이스다이를 채택하여 기술적 시너지를 극대화하고 있다. 이는 HBM의 성능과 효율을 결정하는 핵심 요소인 베이스다이에 파운드리 선두 기업의 첨단 기술을 접목함으로써 차세대 AI 메모리 시장에서 경쟁 우위를 확보하려는 전략의 일환이다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 이날 기조연설자로 나서 '차세대 AI 메모리: 지능화, 융합, 그리고 협업'을 주제로 발표하며 기술 한계를 극복하기 위한 파괴적 혁신의 필요성을 역설했다. 안 사장은 "AI 기술 발전을 가로막는 '메모리 병목 현상'을 돌파하려면 기존 구조 개선을 넘어선 새로운 접근이 필수적이다"라고 강조하며, "메모리와 로직 기술의 통합이 AI 성능을 극대화할 새로운 기술적 돌파구가 될 것"이라고 전망했다. 이 같은 발언은 AI 시대의 핵심 인프라로 자리 잡은 HBM의 기술적 난제를 해결하기 위한 SK하이닉스의 독자적인 비전과 TSMC와의 협력 중요성을 동시에 시사한다.

▲ TSMC 심포지엄서 HBM 기술력 과시

안 사장은 SK하이닉스가 단순한 메모리 공급자를 넘어 아키텍처 설계 단계부터 고객에게 필요한 솔루션을 함께 고민하는 '크리에이터'로 진화하고 있다고 설명했다. 이러한 진화의 구체적인 사례로 HBM4부터 베이스다이에 TSMC의 선단 로직 공정을 도입하는 등 전략적 협력을 공고히 하고 있음을 밝혔다. 이는 고객 맞춤형 솔루션 제공 역량을 강화하고, 기술 개발 초기 단계부터 파트너사와의 협업을 통해 시장의 요구에 선제적으로 대응하겠다는 의지를 보여준다. 또한, 그는 향후 '맞춤형(커스텀) HBM'을 넘어 고대역폭 낸드플래시(HBF), 3D 적층 D램 등 고객 워크로드에 최적화된 맞춤형 솔루션을 제공하겠다는 청사진을 제시했다. 이러한 미래 비전은 SK하이닉스가 AI 메모리 시장의 기술적 한계를 뛰어넘어 새로운 가치를 창출하고, 고객 중심의 혁신을 통해 AI 시대를 선도하겠다는 강력한 의지를 나타낸다. 이번 심포지엄 참가를 통해 SK하이닉스는 TSMC와의 공고한 파트너십을 대내외적으로 확인하는 동시에, 회사의 기술 진화 방향성을 널리 알리며 독보적인 기술 리더십을 바탕으로 AI 시대를 주도해 나갈 것임을 재확인했다.