하이닉스, 첫 40나노급 DDR3 D램 개발

하이닉스는 세계 최초로 40나노급 공정 기술을 적용한 1기가비트 DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

이는 지난 4일 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 1기가 DDR2제품을 개발한데 이어 며칠만에 나온 차세대 제품으로 한국 반도체가 세계최고임을 또 한번 입증한 것이다.

하이닉스는 반도체 회로 폭을 40나노대로 줄여 생산성을 크게 높였다며 이번 제품은 양산중인 54나노 공정 대비 생산성이 50% 이상 향상됐고, 소비전력도 30% 이상 줄일 수 있는 제품이라고 소개했다.

지난해 처음 시장에 소개된 DDR3는 다양한 전압으로 최대 2133 Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)의 전송속도를 지원해, D램 산업의 주력 제품으로 떠오를 것으로 전망된다.

하이닉스는 올해 3분기에 40나노급 DDR3 양산에 들어가고 내년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 본격 생산한다는 방침이다. 또 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 더욱 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램 등의 제조에도 적용할 방침이라고 밝혔다.