삼성전자 12나노급 D램 첫 개발…차세대 D램 시장 견인

- '12나노급 16Gb DDR5 D램' 업계 최초 개발

-2023년 양산…DDR5 시장 확대 가속화

삼성전자가 최첨단 12나노급 공정으로 16Gb (기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다.

삼성전자는 유전율이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.

또 멀티레이어 EUV (극자외선 Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 최고 수준의 집적도로 개발됐다.

추가로 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다.

삼성전자 DDR5 DRAM [삼성전자 제공]

이 제품은 이전 세대 보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 사업을 확장하여 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

삼성전자는 2023년부터 업계 최고 성능의 제품을 양산하는 한편 글로벌 IT 기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM 개발실장 이주영 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라고 말했다.

이어 이 부사장은 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다.

조 매크리(Joe Macri) AMD 최고기술책임자는 “기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너 간 긴밀한 협력이 필요하다”며 “AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다”라고 밝혔다.

삼성전자 DRAM [삼성전자 제공]

디램에 대한 글로벌 추세도 주목해 볼 만하다.

글로벌 컨설턴트 회사(mordor intelligence)의 보고서에 따르면 디램 시장은 2027년까지 연간성장률 3.18%를 기록하리라 예측했다.

또 모빌리티 솔루션, 클라우드 컴퓨팅 AI, IoT에서 모빌리티와 같은 추세가 결합하면 같은 기간 동안 디램에 대한 수요가 높게 증가할 것이라 보았다.

디램 생산 주요 기업은 삼성전자, 마이크로 테크놀로지, SK하이닉스, 난야 등이 있다. 인텔과 TSMC에서는 디램을 생산하지 않는다.

이로 인해 미국에서는 이미 디램 칩을 대부분 한국에 의존하고 있으며 전 세계 디램 칩 생산 절반이 한국에서 이루어진다.

보고서는 2025년 안에 미국의 주요 네트워크가 5G로 대체될 것이며 이는 곧 장치의 스토리지 수요 증가와 디램 채택 증가를 불러올 것이라고 예상했다.