日 엘피다, 30나노급 DRAM 양산…삼성전자에 도전장

일본의 반도체 업체인 엘피다 메모리가 오는 12월부터 30나노(nm, 1nm는 10억분의 1m)급 D램 양산에 나선다고 29일 니혼게이자이신문이 보도했다.

신문은 지난 7월 세계 최초로 30나노급 D램 양산에 들어간 삼성전자를 따라잡겠다는 의도로 풀이된다고 전했다.

엘피다는 30나노급 D램 양산에 반도체 미세회로 인쇄 노광을 두번 거치는 '더블 패터닝' 기술을 사용해 새로운 설비 투자 없이 기존 생산라인을 통해 공정이 가능하다고 밝혔다.

또한 올해 말 히로시마 공장에 이어 내년도에는 대만 자회사인 렉스칩 일렉트로닉스 공장에서도 30나노급 D램을 양산해 수년 내에 전체 D램의 70%까지 끌어올린다는 방침이다.

신문은 신형 D램을 양산하게 되면 수율이 45% 증가하고 생산단가를 30% 낮춰 삼성전자와 비슷한 수준을 갖추게 됐고, 회로선폭은 삼성전자에 비해 얇아 기술 경쟁력 면에서 우위를 나타낼 것이라고 예상했다.