하이닉스, 세계 최초 4기가비트 모바일 D램 인텔 인증 획득

하이닉스가 세계 최대용량 모바일 D램을 개발해 글로벌 기업 인텔로부터 인증을 받았다. 이 제품은 올해 3분기부터 양산되기 시작해 휴대폰, 넷북, 인터넷 디바이스 등 모바일 애플리케이션 제품에 상용화 된다.

하이닉스반도체(www.hynix.co.kr)는  54나노 2기가비트(Gb) 기반으로 개발된 세계 최초 4기가비트 모바일 D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스(MID; Mobile Internet Device)용 칩셋인 무어스타운(Moorestown)의 인증을 획득했다고 9일 밝혔다. 하이닉스의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 첫 사례이다.

4기가비트 모바일 D램은 모바일 제품 중 최대 용량으로, 기존의 2기가비트 제품의 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘린 제품이다.전력 소비도 기존 2기가비트 제품과 비교해 큰 차이가 없기때문에  사용시간이 긴 모바일 인터넷 디바이스, 넷북(Netbook), 휴대전화, 네비게이션 등의 모바일 애플리케이션 제품에 적합하다.

최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다.

한편,하이닉스는 그 동안 고용량의 2기가비트 모바일 D램(2008), 최고속•최저전압의 1기가비트 LPDDR2(2009) 등 다수의 제품을 세계 최초로 개발하는 등 모바일 사업 강화에 투자해왔다. 

특히 모바일 제품의 비중은 지난 2분기를 기준으로, 전체 D램 매출 비중에서 지난해 대비 2배 가량 높아진 15%를 차지하는 등 사업의 중요성이 커지고 있다. 또한 모바일 D램 시장 점유율은 올해 상반기 지난해의 동기 대비 2배 가량 확대된 20%로 대폭 증가해 올해 목표인 24%까지 확대될 것으로 기대된다.

하이닉스는 앞으로 다양한 모바일 신제품을 지속적으로 출시해 신규 고객을 확보하고 시장 점유율을 확대할 계획이라고 밝혔다. 또한 수익성 제고를 위해 모바일을 포함한 그래픽스, 서버 등 고부가가치 제품의 매출 비중을 지속적으로 늘리고 사업을 강화해 나갈 예정이다.