日 엘피다-샤프, 차세대 메모리 공동개발

일본의 엘피다메모리와 샤프가 차세대 저항형 메모리(ReRAM)를 공동개발해 2013년까지 상용화하기로 했다고 13일 니혼게이자이신문이 보도했다.

이 신문에 따르면 양사는 이번 합종연횡으로 현재 저항형 메모리를 개발중인 한국의 삼성전자와 도시바 등에 대항하기로 했다며, 반도체 업계의 개발경쟁이 더욱 치열해질 것으로 예상했다.

이번에 개발되는 저항형 메모리는 이론상으로는 기존 낸드(NAND) 플래시 메모리보다 정보처리 속도가 1만배 이상 빠르고 소비전력이 적다는 것이 장점이다.

이 개발에는 엘피다의 미세가공기술에 샤프의 재료기술과 제조방법을 접목시키며 일본의 정부 산하 산업기술종합연구소, 도쿄대학, 반도체제조장비업체 등도 참여한다.

이들은 산업기술종합연구소의 연구 거점인 쓰쿠바에서 30나노미터 기술을 사용해 시제품을 개발하고 오는 2013년부터 엘피다에서 양산에 나설 예정이다. 먼저는 샤프의 휴대전화기나 태플릿PC 등에 사용하며 다른 전자업체로 판로를 넓혀 나간다는 방침이다.

신문은 올해 낸드플래시 등 기존 메모리 반도체의 성능향상을 위한 회로선폭의 미세화가 한계에 도달할 것으로 예상되는 가운데 차세대 메모리 개발은 향후 반도체 업계의 주도권을 바꿀 가능성도 있다고 덧붙였다.