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SK하이닉스, 美인디애나에 차세대 HBM공장 건설

SK하이닉스가 미국 인디애나주에서 AI 메모리용 어드밴스트 패키징 생산기지를 건설하고 현지 연구기관과 반도체 연구개발 협력을 추진한다.

SK하이닉스는 인디애나주와 퍼듀대학교, 미 정부 관계자들과 투자협약식을 체결했으며 약 5조 2000억 원을 투자할 방침이라고 4일 밝혔다.

이날 행사는 인디애나주 에릭 홀콤 주지사와 토드 영 주 상원의원, 조현동 주미 한국 대사, SK하이닉스 곽노정 CEO 등 양측 주요 인사들이 참석한 가운데 진행됐다.

미국 건설을 추진하는 인디애나 공장은 오는 2028년 하반기부터 AI 메모리 제품을 양산한다는 계획으로, 생산공장 뿐만 아니라 R&D 시설 등이 함께 구축될 예정이다.

최근 AI의 수요가 급증하면서 HBM 등 초고성능 메모리와 어드밴스트 패키징의 중요성이 지속적으로 상승하는 분위기이다.

이에 SK하이닉스는 미국 시장에 선제적으로 진출하고 기술리더십을 강화하기 위해 이번 사업을 추진한다고 밝혔다.

SK하이닉스는 인디애나주가 후보지로 선정된 이유는 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라가 풍부하고, 반도체 첨단 공학 연구로 유명한 대학이 포진해 있기 때문이라고 밝혔다.

SK 하이닉스의 차세대 D램 'HBM3E' [SK하이닉스 제공]
SK 하이닉스의 차세대 D램 'HBM3E' [SK하이닉스 제공]

에릭 홀콤 인디애나 주지사는 이날 “SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다”라고 말했다.

토드 영 상원의원은 “미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스 곽노정 CEO는 “AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하는 사업은 이번이 업계 최초”라고 강조했다.

이어 “이번 투자를 통해 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형(Customized) 메모리 제품을 공급해 나갈 것”이라고 전했다.

SK하이닉스 전경
[SK하이닉스 제공]

한편 SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 지속적으로 추진할 방침이다.

현재 SK하이닉스가 120조 원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 진행되고 있다.

SK하이닉스는 내년 3월 첫 건물 착공에 들어가 2027년 초 완공을 목표로 하고 있으며, 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 미니팹도 건설할 계획이다.

미니팹이란 반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위한 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다.