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SK하이닉스, 용인 클러스터 1기 팹 착공

정부가 추진하는 경기도 용인시 반도체 클러스터 부지에 SK하이닉스가 먼저 1기 반도체 생산공장(팹)을 구축한다.

SK하이닉스는 지난 24일부터 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다.

기존 계획은 다음 달부터 1개 팹을 착공한다는 계획이었으나, 용인시가 인허가 절차를 신속히 처리하면서 지난 21일부터 건축이 허가됐다.

이는 용인시가 지난해 4월 SK하이닉스와 체결한 ‘생산라인 조기 착공 추진 및 지역 건설산업 활성화’ 업무협약에 따른 것으로, 건축허가 TF를 구성해 인허가에 속도를 냈다는 설명이다.

한편 이번에 팹이 들어설 부지는 총 415만㎡(제곱미터) 규모 클러스터 중 약 절반인 200만㎡에 달할 전망이다.

반도체 클러스터 1기 팹 착공 현장 [SK하이닉스 제공]
반도체 클러스터 1기 팹 착공 현장 [SK하이닉스 제공]

SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정으로, 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.

향후 SK하이닉스는 클러스터 단지를 HBM 등 D램 메모리 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 대응한다는 방침이다.

이 외에도 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업과 협력해 기술 개발 및 실증을 위한 ‘미니팹’도 1기 구축할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 높이겠다”라는 포부를 밝혔다.

또 “미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 실제 생산 현장과 유사한 환경 제공한다”라고 덧붙였다.