건대, 차세대 메모리 세계적 석학 외국인 교수 초빙

건국대는 28일 초전도 전자소자 분야 세계적 석학 2명을 올 1학기부터 외국인 교수로 초빙했다고 밝혔다.

이번에 초빙한 해외 석학은 세계 반도체 기업들로부터 많은 연구 수주를 받는 차세대 메모리 소자 분야 권위자인 미국 로스알라모스 국립연구소(Los Alamos National Laboratory)의 종신연구원(fellow)인 콴시 지아(Quanxi Jia) 교수와 일본 동경공과대 (Tokyo Institute of Technology)의 히로시 이시와라(Hiroshi Ishiwara) 교수 등 2명이다.

이들 해외석학 초빙은 세계수준의 연구중심대학(WCU : World Class University) 육성 사업의 일환으로 이뤄졌으며, 이들 교수들은 3월부터 물리학부 양자 상 및 소자 전공의 학부와 대학원 과정 강의와 연구를 맡게 된다.

또한,건대 물리학부 교수들과 함께 차세대 메모리 소자 개발 분야 인재 양성과 신기술 개발을 본격화 한다.