삼성전자, 32나노 HKMG 로직공정 첫 개발

삼성전자가 파운드리 업계 최초로 32나노 저전력 ‘HKMG(하이-케이 메탈 게이트, High-K Metal Gate)’ 로직 공정을 개발했다고 11일 밝혔다.

삼성전자는 IBM 등 로직 기술 개발 파트너들과의 공동연구에 기반해 기존 45나노 공정 대비 집적도가 2배인 32나노 ‘하이-케이 메탈 게이트’ 기술을 개발했다.

‘하이-케이 메탈 게이트’ 기술은 신물질을 사용해 공정이 미세화 될수록 증가되는 누설전류를 효과적으로 줄이고 동작속도를 향상시키는 최첨단 저전력 로직공정 기술이다. 기존 45나노 저전력 공정에 비해 누설전력을 55%, 소비전력은 30% 감소시킨다.

이번 개발로 삼성전자는 파운드리 고객들에게 차별화되고 경쟁력있는 최신 반도체 제품을 공급할 수 있게 됐을 뿐 아니라, 현재 차세대 전략 사업으로 육성 중인 파운드리 사업이 한 단계 도약할 수 있는 계기를 마련했다.

시장조사기관 가트너(Gartner)는 파운드리 시장이 2009년에서 2014년까지 연평균 16%씩 성장해, 전체 반도체 시장 성장률인 9%를 상회할 것으로 전망하고 있다. 

삼성전자는 이 기술이 스마트폰, 태블릿 PC등 차세대 모바일 기기 개발에 중요한 역할을 할 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 반도체사업부 시스템LSI 담당 우남성 부사장은 “32나노 ‘하이-케이 메탈 게이트’ 로직공정 개발은 파운드리 사업에서 기술 리더십을 확인하는 전략적인 이정표”라며, “삼성전자는 주요 기술 파트너들과 기술협력을 통해 모든 양산 준비를 마치고, 고객의 다양한 제품 설계를 적용한 제품 개발 단계에 있다”고 밝혔다.