ETRI, 러와 '차세대 LED' 연구 협력

ETRI(원장 김흥남)는 지난 8일(현지 시간) 러시아 상트페테르부르크(舊 레닌그라드) Ioffe 연구소 회의실에서 Ioffe와 '통신소자 및 전력소자 기술'과 'LED 및 광전소자 기술' 상호 협력연구를 위한 MOU를 체결했다고 12일 밝혔다.

이날 ETRI와 Ioffe는 협력체결을 통해 ▲GaN전력소자 개발 ▲조명용 LED소자 개발 ▲자외선 LED소자 개발 ▲국제기관에서 수행하는 프로젝트 공동참여 및 제안 등에서 상호 협력키로 합의했다.

고전압 작동이 가능한 GaN(Gallium Nitride) 전력반도체는 실리콘 전력반도체에 비해 전력손실이1/5 이하로 줄고 고속 동작 특성이 뛰어나 스위칭 손실을 1/100 이하로 줄일 수 있는 대표적인 화합물반도체다.

ETRI는 현재 GaN를 기반으로 하는 화합물반도체 일괄 공정 라인을 구축하고 GaN 기반 차세대 LED 연구를 수행중에 있다.

한편 1918년에 설립된 Ioffe 연구소는 LED 및 반도체레이저의 근간이 되는 이중이질접합반도체구조(semiconductor double heterostructure) 연구 개발로 2000년 노벨상을 수상한 알페로프(Alferov) 박사를 비롯해 5명의 노벨상 수장자가 있다.