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SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 ‘HBM3E’ 양산

SK하이닉스가 현존하는 HBM 중 최대 용량인 36GB(기가바이트) ‘HBM3E’ 12단 신제품을 세계 최초로 양산한다고 26일 밝혔다.

SK하이닉스는 HBM3E를 통해 AI 연산에 필수적인 메모리 속도·용량·안정성을 크게 높였으며, 양산된 제품은 올해 안에 공급사로 공급할 예정이라고 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 크게 높인 고성능 제품으로, 기존 HBM의 최대 용량은 D램을 8단으로 쌓은 24GB 제품이다.

SK하이닉스는 이번 HBM3E 모델의 장점으로 동작 속도가 현존 최고인 9.6Gbps(기가 비피에스)에 달하는 점을 꼽았다.

이는 HBM3E 4개를 탑재한 단일 GPU를 사용할 경우 메타(구 페이스북)의 거대언어모델(LLM) ‘라마 3 70B’의 700억 개 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.

SK하이닉스의 12단 HBM3E [SK하이닉스 제공]
SK하이닉스의 12단 HBM3E [SK하이닉스 제공]

한편 SK하이닉스는 첨단 공정을 적용해 12단으로 D램을 적층했음에도 8단 제품과 동일한 두께를 구현해냈으며, 이는 적층 용량이 50% 증가한 것을 의미한다.

즉 12단 적층에서 개개의 D램 단품 칩은 기존보다 약 40% 더 얇아졌다.

또 얇은 칩을 높이 쌓았을 때 발생하는 구조적인 발열 문제를 해결하기 위해 SK하이닉스는 자체 개발한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정을 적용해 제품 안정성과 신뢰성을 높였다.

SK하이닉스 김주선 사장은 “12단 HBM을 통해 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”라고 강조했다.

이어 “앞으로도 차세대 메모리 제품을 지속 개발해 글로벌 1위 AI 메모리 기업으로서의 위상을 이어가겠다”라고 덧붙였다.