SK하이닉스 차세대 D램 ‘HBM3E’ 개발

SK하이닉스가 AI 시스템을 위한 최첨단 D램인 'HBM3E'의 개발에 성공해 현재 고객사인 엔비디아와 성능 검증 절차를 진행 중이라고 21일 밝혔다.

‘HBM’이란 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 획기적으로 높인 고부가가치 제품이다.

해당 제품은 세대에 따라 명칭이 달라지며, 1세대에서 5세대까지 각각 HBM – HBM2 – HBM2E – HBM3 - HBM3E로 불린다.

현재 SK하이닉스가 개발한 ‘HBM3E’는 최신형인 5세대 HBM 제품이다.

SK 하이닉스의 차세대 D램 'HBM3E' [SK 하이닉스 제공]

SK하이닉스는 "HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 HBM3E를 개발하는 데 성공했다"라고 밝혔다.

또 "내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다"라고 강조했다.

SK하이닉스는 ‘HBM3E’가 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다고 밝혔으며, 이는 FULL-HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

또 해당 제품은 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다.

‘MR-MUF’ 공정이란 반도체 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 기술을 말한다.

SK 하이닉스 로고 [자료=SK하이닉스]

한편 HBM3E는 하위 호환성도 갖춰 이전 세대인 HBM3를 통해 설계된 시스템에서도 구조 변경 없이 바로 적용할 수 있다.

이안 벅 엔비디아 부사장은 "엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다"라고 전했다.

이어 "앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간 협업이 계속되길 기대한다"라는 뜻을 밝혔다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다.