SK하이닉스, 세계 최초 5세대 D램 ‘HBM3E’ 대량 양산

SK하이닉스가 5세대 고대역폭 메모리 D램인 ‘HBM3E’를 가장 먼저 대규모 양산하며 엔비디아에 납품한다고 19일 밝혔다.

이전 세대인 HBM3에 이어 이번 HBM3E까지 세계 최초 대규모 양산에 성공하며 D램 시장 주도권을 공고히 한다는 방침이다.

SK하이닉스는 지난해 8월 HBM3E의 개발에 성공했다고 밝힌 바 있으며, 그로부터 7개월 만에 양산 체제에 돌입했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결한 집재형 칩으로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고부가가치 품목으로 평가받는다.

앞서 글로벌 반도체 기업 마이크론도 지난달 26일부터 HBM3E의 양산을 시작한다고 발표한 바 있으나, 실제 납품을 시작한 것은 SK하이닉스가 최초인 것으로 알려졌다.

SK하이닉스의 HBM3E는 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터 처리 성능을 갖추었으며, 이는 5GB 크기의 FULL-HD급 영화 230편 분량을 1초 만에 처리할 수 있는 성능이다.

SK 하이닉스의 차세대 D램 'HBM3E' [SK 하이닉스 제공]

특히 SK하이닉스는 고성능 전자제품의 발열 문제를 해결하기 위해 신제품에 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 높였다고 밝혔다.

한편 HBM3E 제품은 엔비디아가 올해 2분기 출시를 예고한 ‘H200 GPU’에 탑재될 예정이며, 최근 AI 및 고성능 클라우드 시스템이 주목을 받으면서 AI에 특화된 GPU 칩의 수요도 증가할 분위기이다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"라고 강조했다.

이어 "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객 관계를 탄탄히 하면서 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 굳힐 것"이라는 포부를 밝혔다.