SK하이닉스·TSMC, 6세대 HBM 개발 협력 MOU 체결

SK하이닉스가 최근 차세대 HBM 개발 및 생산 역량을 강화하기 위해 글로벌 반도체 생산 1위 기업인 대만의 TSMC와 손을 잡았다. 

양사는 어드밴스드 패키징 기술 강화 및 HBM4 개발 협력 업무협약(MOU)을 체결했다고 19일 밝혔다.

HBM4는 6세대 HBM(고대역폭 초고속 메모리)으로, 고성능 RAM 및 그래픽카드 제조에 필수적인 반도체이다.

양사는 이번 협약을 통해 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base die)의 성능 개선을 추진할 방침이다.

HBM은 베이스 다이 위에 D램을 쌓아 올리고 수직연결하는 방식으로 만들어지는데, 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 중추 역할을 맡는다.

이에 양사는 베이스 다이의 성능과 전력 효율을 끌어올려 다양한 맞춤형 HBM 생산이 가능하도록 만든다는 계획이다.

SK하이닉스는 이전 세대인 5세대 HBM3E까지는 베이스 다이 생산에 자체 공정을 적용했으나, 이번 6세대부터는 새로 초미세 공정인 ‘로직’ 선단을 활용해 기능 확장에 나선다.

SK하이닉스 [연합뉴스 제공]

이와 함께 양사는 SK하이닉스의 HBM 기술과 TSMC의 특허 패키징 공정 ‘CoWos’를 결합해 HBM 관련 고객 요청에 공동 대응한다.

SK하이닉스는 고객·파운드리·메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파하기 위해 이번 협력을 추진했다고 밝혔다.

SK하이닉스 김주선 사장은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라고 강조했다.

이어 “앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 ‘토탈 AI 메모리 프로바이더’의 위상을 확고히 하겠다”라는 포부를 밝혔다.

TSMC ‘케빈 장’ 수석부사장은 “HBM4에서도 양사 간 긴밀한 협력으로 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것”이라고 말했다.