삼성전자, 12나노 LPDDR5X D램 양산

삼성전자가 차세대 D램 패키지를 생산하며 저전력 반도체 경쟁력을 강화한다.

삼성전자는 업계 최소 두께인 12나노급 LPDDR5X D램 12GB(기가바이트)와 16GB 2종을 패키지 양산한다고 6일 밝혔다.

12나노급 반도체가 들어가는 이번 제품은 12GB 이상 D램 중 가장 얇은 0.65mm(밀리미터)의 두께를 가졌다.

특히 해당 D램에는 LPDDR 반도체를 4단으로 쌓았으며, 패키지 회로 기판 및 EMC 최적화를 통해 이전 세대보다 열 저항도 약 21.2% 개선됐다.

EMC는 수분과 열, 충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로를 보호하는 회로 보호재를 가리킨다.

D램의 두께가 얇으면 여유 공간을 확보하기 더 쉬워지며, 이를 통해 공기 흐름이 원활해져 기기 내부 온도 관리가 더 쉬워지는 장점이 있다.

최근 기기 내부에서 동작하는 ‘온디바이스 AI’가 등장하면서 AI의 동작으로 인한 발열을 잡는 것이 반도체 업계의 주요한 과제로 꼽히고 있다.

삼성전자의 12나노급 LPDDR5X D램 [삼성전자 제공]

삼성전자는 이번 신제품을 통해 발열로 인한 온디바이스 AI의 성능 저하나 동작 정지를 예방할 수 있을 것으로 기대했다.

향후 삼성전자는 반도체를 6단과 8단으로 쌓으면서 각각 24GB, 32GB 모듈 패키지를 개발해 온디바이스 AI에 최적화된 솔루션을 공급한다는 방침이다.

삼성전자 배용철 부사장은 "고성능 온디바이스 AI 수요 증가로 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"라고 강조했다.

이어 "기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공할 것"이라고 덧붙였다.