중국 반도체 습격...'낸드'이어 'D램' 바짝 추격

중국 반도체 기업의 추격이 심상치 않다. 아직은 우리나라 기업과 3년의 기술 격차가 있는것으로 분석되지만 중국 기업들이 반도체 시장에 속속 진입하면서 산업계가 요동치고 있다.

대만 디지털 전문 매체 디지타임즈(digitimes)는 최근 업계 소식통을 인용해 중국 창신메모리(CXMT)가 연내 17나노(㎚) D램을 양산할 계획이라고 보도했다.

창신메모리는 지난해 9월 D램 양산을 처음 공식화한 메모리 반도체 기업이다. 이 기업이 올 연말 실제 17나노 D램 양산에 돌입할 경우 기술 삼성과의 기술 격차는 3년으로 좁혀진다. 업계에서는 삼성전자가 지난 2017년 11월 양산하기 시작한 2세대 10나노급(1y) D램을 17나노대로 추정하고 있다.

창신메모리는 올 4월 미국 팹리스(반도체 설계) 기업 램버스(Lambus)와 특허 계약을 체결하는 등 투자규모를 줄이지 않고 있다.

앞서 중국 양쯔메모리(YMTC)도 지난달 10일 자사 홈페이지를 통해 128단 낸드를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이르면 올 연말 양산에 돌입할 것으로 보인다.

창신메모리 사업장 (사진=창신메모리 홈페이지)

삼성전자는 작년 7월 100단 이상의 낸드 양산을 시작했고, SK하이닉스는 올 2분기 내 128단 낸드 양산을 목표로 하고 있다.

시스템 반도체 분야에서도 중국 기업들의 약진이 눈에 띈다. 이 분야는 상성전자가 133조원의 투자 계획을 발표하는 등 눈독을 들이는 시장이다.

중국 시장조사업체 시노(CINNO) 리서치는 최근 올 1분기 중국 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 시장에서 화웨이 산하 반도체 기업 하이실리콘이 점유율 43.9%로 1위를 기록했다고 밝혔다.

특히 작년 1분기만 해도 48.1%라는 압도적인 점유율로 1위를 사수했던 미국 퀄컴을 2위로 미뤄냈다는 점에서 업계 주목을 받고 있다. 삼성전자는 순위에도 오르지 못하고 기타(1.7%)에 포함됐다.

시노에 따르면 하이실리콘은 화웨이 스마트폰의 AP 자급률을 90%까지 끌어올렸고, 5G 통합칩 시장에서 삼성과 겨루고 있다.

작년 중순까지만 해도 중국의 메모리 반도체 생산 계획은 '과장 광고'라는 시각이 지배적이었다.

글로벌 시장조사업체 IC인사이츠는 중국이 "앞으로 10년 이내에 경쟁력 있는 산업을 구축하거나 자급이 가능할지에 대해 매우 회의적"이라고 평가하기도 했다.

하지만 최근 중국 반도체 기업이 잇따라 개발 성과를 발표하자 업계에서도 초격차 유지에 대한 의구심이 제기되기 시작했다.

지난 29일 삼성전자 실적 발표 컨퍼런스콜에서는 중국 기업의 위협에 대한 체감과 초격차 유지 전략을 묻는 질문도 나왔다.

이와 관련 삼성 측은 "단순 양산 시기보다는 고객사 수요를 만족할 수 있는 고부가 제품을 얼마나 안정적으로 공급하냐가 더 중요하다"면서도 "중국업체의 메모리 시장 진입을 매우 중요한 모멘텀으로 본다"고 밝혔다.

다만 업계 관계자는 "메모리 반도체 공정 기술은 개발 성공 여부보다 수율이 중요하다"며 "중국 업체는 아직 만드는 족족 적자인 것으로 안다"고 말했다.

또한 NH증권 도현우 연구원의 최근 보고서에 따르면 지난해 양쯔메모리가 64단 낸드 양산을 공식화한 이후에도 실제 시장에서는 제품을 찾아보기 힘들었다.

도 연구원은 "2025년까지는 YMTC가 글로벌 낸드 수급에 미치는 영향이 미미할 것"이라며 "작년까지 미국 정부, 유럽 장비 업체, 한국 메모리 업체가 공조해 중국 메모리 업체를 견제했던 기조가 코로나19로 약화하고 있다는 점은 우려스럽다"고 분석했다.

중국 정부는 2025년까지 반도체 자급률을 70%로 끌어올리는 내용이 포함된 '중국제조 2025' 정책을 정부의 부당 지원, 외국기업에 대한 기술이전 강요 등을 문제삼은 미국과 유럽연합(EU)의 폐기 압력에도 불구하고 여전히 내밀하게 추진하고 있는 것으로 알려졌다.

지난해 블룸버그통신 보도에 따르면 중국의 50개 대규모 반도체 사업에 대한 총투자비는 약 2천430억달러(약 297조9천억원)에 달한다.