30일 07시 33분 현재, 삼성전자가 인공지능(AI) 시대 핵심으로 꼽히는 차세대 고대역폭 메모리 HBM4와 8세대 낸드플래시의 대량 생산에 돌입하며 글로벌 반도체 시장 주도권 확보에 나섰다. 미국 텍사스 테일러 공장의 2나노 공정 준비도 가속화하며 파운드리 경쟁력 강화에도 박차를 가하고 있다.

▲ HBM4, AI 시장 정조준

삼성전자는 지난 2026년 2월부터 차세대 고대역폭 메모리인 6세대 HBM(HBM4)의 대량 생산을 시작했다. 이와 함께 상업용 제품을 고객사들에게 출하하며 시장 선점에 나선 것으로 알려졌다. 이는 AI 데이터센터 구축을 위한 고성능 메모리 수요가 폭발적으로 증가하는 가운데, 엔비디아 등 주요 그래픽처리장치(GPU) 제조사들이 삼성전자의 HBM4 주요 구매자가 될 것으로 예상된다. HBM4는 기존 HBM3E 대비 월등히 빠른 처리 속도를 제공하며, AI 반도체 성능 향상에 필수적인 요소로 꼽힌다. 삼성전자는 이 분야에서 경쟁사인 SK하이닉스와의 기술 경쟁에서 우위를 점하기 위해 생산 가속화에 주력하고 있다. 이러한 초고성능 메모리 양산은 AI 인프라 확장에 결정적인 역할을 하며, 삼성전자가 AI 시대의 핵심 공급자로 자리매김하는 데 기여할 전망이다.

[연합뉴스 제공]

▲ 8세대 낸드 전환 완료, 낸드 경쟁력 제고
같은 달 삼성전자는 중국 시안 공장에서 236단 8세대 낸드(V8) 플래시 메모리의 대량 생산을 본격화했다. 2024년부터 진행된 공정 전환 작업을 마무리하고 기존 128단 6세대(V6) 낸드 생산을 종료, 200단대 첨단 낸드 시대를 열었다. 셀을 수직으로 쌓아 올리는 낸드플래시는 단수가 높을수록 저장 용량이 커지며, 이는 고용량 데이터 처리가 필수적인 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 수요 급증에 대응하는 핵심 전략이다. 특히 중국 최대 낸드 제조사인 YMTC가 294단 제품까지 양산하는 등 경쟁사들의 추격이 거센 상황에서, 삼성전자는 선단 공정 전환을 통해 낸드 경쟁력을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 시안 공장은 삼성전자 전체 낸드 생산량의 약 40%를 담당하는 핵심 거점으로, 이번 V8 전환에 이어 연내 286단 9세대(V9) 낸드 공정 전환도 완료할 계획이다.

▲ 2나노 파운드리 양산 준비 가속화
삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 분야에서도 2나노미터(nm) 공정의 대량 생산 준비를 가속화하고 있다. 미국 텍사스 테일러 공장에서 2나노 공정 라인 도입을 위해 2026년 1월부터 2월 사이 필요한 장비 설치를 논의하는 등 생산 준비에 박차를 가하고 있다. 당초 4나노 공정을 계획했으나 시장 수요 변화에 따라 2나노로 조정된 것으로 알려졌다. 2나노 공정은 차세대 고성능 시스템 반도체 생산에 필수적인 초미세 공정으로, 삼성전자는 2026년 초에 본격적인 생산을 목표로 하고 있다. 이는 대만 TSMC와의 파운드리 경쟁에서 기술 우위를 확보하고, AI 반도체 등 고성능 칩셋 수요에 대응하기 위한 핵심 전략으로 풀이된다. 텍사스 테일러 공장이 정상 궤도에 오를 경우 북미 고객 대응 및 공급망 안정성 측면에서 삼성전자의 경쟁력이 한층 강화될 것으로 기대된다.

▲ 미래 반도체 시장 주도권 확보 전략
삼성전자의 이러한 행보는 AI 시대의 핵심 기술인 첨단 메모리(HBM, 낸드)와 파운드리(2나노) 전반에 걸친 생산 능력 강화에 초점을 맞추고 있다. 이는 급변하는 글로벌 반도체 시장에서 초격차 기술 리더십을 확보하고, 메모리와 시스템 반도체를 아우르는 '토털 AI 솔루션' 제공 기업으로의 전환을 가속화하려는 전략이다. 시장 불확실성 속에서도 적극적인 투자를 통해 기술 난이도가 높은 첨단 공정의 대량 생산을 성공적으로 이끌어내며 지속적인 성장을 모색하고 있다.